三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，满足人工智能时代的更高要求
我要评论三星HBM3E 12H DRAM是首款目前三星容量最大的HBM，凭借三星卓越的足人12层堆叠技术，其性能和容量可大幅提升50%以上
先进的工智更高TC-NCF技术有效提升垂直密度和热性能
三星致力于满足人工智能时代对高性能和大容量解决方案的更高要求
深圳2024年2月27日 /美通社/ -- 三星电子今日宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，首款这是足人三星目前为止容量最大的HBM产品。
三星HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s，工智更高产品容量也达到了36GB。首款相比三星8层堆叠的足人HBM3 8H，HBM3E 12H在带宽和容量上大幅提升超过50%。工智更高
“当前行业的首款人工智能服务供应商越来越需要更高容量的HBM，而我们的足人新产品HBM3E 12H正是为了满足这种需求而设计的，” 三星电子存储器产品企划团队执行副总裁 Yongcheol Bae 表示，工智更高“这一新的首款存储解决方案是我们研发多层堆叠HBM核心技术以及在人工智能时代为高容量HBM市场提供技术领导力而努力的一部分。
三星首款36GB HBM3E 12H DRAM
HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆叠产品的工智更高高度保持一致，以满足当前HBM封装的要求。因为行业正在寻找缓解薄片带来的芯片弯曲问题，这项技术将在更高的堆叠中带来更多益处。三星一直在努力降低其非导电薄膜（NCF）材料的厚度，并实现芯片之间的间隙最小化至7微米（µm），同时消除了层与层之间的空隙。这些努力使其HBM3E 12H产品的垂直密度比其HBM3 8H产品提高了20%以上。
三星先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术还通过允许在芯片之间使用不同尺寸的凸块（bump）改善HBM的热性能。在芯片键合（chip bonding）过程中，较小凸块用于信号传输区域，而较大凸块则放置在需要散热的区域。这种方法有助于提高产品的良率。
随着人工智能应用的指数级增长，HBM3E 12H有望成为未来系统的优选解决方案，满足系统对更大存储的需求。凭借超高性能和超大容量，HBM3E 12H将帮助客户更加灵活地管理资源，同时降低数据中心的总体拥有成本（TCO）。相比HBM3 8H，HBM3E 12H搭载于人工智能应用后，预计人工智能训练平均速度可提升34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍[1]。
目前，三星已开始向客户提供HBM3E 12H样品，预计于今年下半年开始大规模量产。
[1] 基于内部模拟结果
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